Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review) / Parphenyuk P. V., Evtukh A. A. (2016)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714525
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2016, Vol. 19, № 1)

Parphenyuk P. V., Evtukh A. A.
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)

Cite:
Parphenyuk, P. V., Evtukh, A. A. (2016). Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review). Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 19 (1), 1-8. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714525

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна