Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants / Baranskii P. I., Gaidar G. P. (2016)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714531
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2016, Vol. 19, № 1)

Baranskii P. I., Gaidar G. P.
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants

Cite:
Baranskii, P. I., Gaidar, G. P. (2016). Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 19 (1), 39-43. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714531

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна