Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment / Bletskan D. I., Glukhov K. E., Frolova V. V. (2016)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714542
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2016, Vol. 19, № 1)

Bletskan D. I., Glukhov K. E., Frolova V. V.
Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment

Cite:
Bletskan, D. I., Glukhov, K. E., Frolova, V. V. (2016). Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 19 (1), 98-108. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714542

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна