Рекомбінаційні характеристики пластин монокристалічного кремнію з приповерхневим порушеним шаром / Саченко А. В., Костильов В. П., Литовченко В. Г., Попов В. Г., Романюк Б. М., Черненко В. В., Насєка В. М., Слусар Т. В., Кирилова С. І., Комаров Ф. Ф. (2013)
Ukrainian

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2013, 58 (2))

Sachenko A. V., Kostylov V. P., Lytovchenko V. H., Popov V. H., Romaniuk B. M., Chernenko V. V., Nasieka V. M., Slusar T. V., Kyrylova S. I., Komarov F. F.
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer


Cite:
Sachenko, A. V., Kostylov, V. P., Lytovchenko, V. H., Popov, V. H., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasieka, V. M., Slusar, T. V., Kyrylova, S. I., Komarov, F. F. (2013). Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer. Ukrainian Journal of Physics, 58 (2), 142-150. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725395 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна