| 
Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу, з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації / Павлик Б. В., Кушлик М. О., Дідик Р. І., Шикоряк Й. А., Слободзян Д. П., Кулик Б. Я. (2013) 
| 
 інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725574 Український фізичний журнал
    А  - 2018  /      Випуск (2013,  Т. 58, № 8) 
 Павлик Б. В., Кушлик М. О., Дідик Р. І., Шикоряк Й. А., Слободзян Д. П., Кулик Б. Я.Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу, з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації
 
 
 Бібліографічний опис:Павлик Б. В., Кушлик М. О., Дідик Р. І., Шикоряк Й. А., Слободзян Д. П., Кулик Б. Я. Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу, з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації. Український фізичний журнал. 2013.  Т. 58, № 8. С. 743-748. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725574
 |  |  Ukrainian Journal of Physics   /  Issue (2013, 58 (8)) 
 Pavlyk B. V., Kushlyk M. O., Didyk R. I., Shykoriak Y. A., Slobodzian D. P., Kulyk B. Ya.Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
 
 Cite:Pavlyk, B. V., Kushlyk, M. O., Didyk, R. I., Shykoriak, Y. A., Slobodzian, D. P., Kulyk, B. Ya. (2013). Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation. Ukrainian Journal of Physics, 58 (8), 743-748. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725574 [In Ukrainian].
 |  |  |  |