Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні / Козинець О. В., Литвиненко С. В. (2012)
| Ukrainian Journal of Physics / Issue (2012, 57 (12))
Kozynets O. V., Lytvynenko S. V. Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
Cite: Kozynets, O. V., Lytvynenko, S. V. (2012). Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts. Ukrainian Journal of Physics, 57 (12), 1235-1239. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725344 [In Ukrainian]. | Титул, содержание (2014)
|
| Energy Technologies and Resource Saving / Issue (2014, 3)
Title, Contents
Cite: (2014). Title, Contents. Energy Technologies and Resource Saving, 3. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000727299 [In Russian]. |
|
|