Про механізм впливу газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар'єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In2О3 + 5% SnO2) / Ільченко В. В., Костюкевич О. М., Лендєл В. В., Радько В. І., Голобородько Н. С. (2016)
Ukrainian

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2016, 61 (1))

Ilchenko V. V., Kostiukevych O. M., Lendiel V. V., Radko V. I., Holoborodko N. S.
Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) oxide films


Cite:
Ilchenko, V. V., Kostiukevych, O. M., Lendiel, V. V., Radko, V. I., Holoborodko, N. S. (2016). Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) oxide films. Ukrainian Journal of Physics, 61 (1), 40-45. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000727701 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна