Про механізм впливу газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар'єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In2О3 + 5% SnO2) / Ільченко В. В., Костюкевич О. М., Лендєл В. В., Радько В. І., Голобородько Н. С. (2016)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000727701
Український фізичний журнал   А - 2018 /  Випуск (2016, Т. 61, № 1)
Ільченко В. В., Костюкевич О. М., Лендєл В. В., Радько В. І., Голобородько Н. С.
Про механізм впливу газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар'єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In2О3 + 5% SnO2)
Бібліографічний опис:
Ільченко В. В., Костюкевич О. М., Лендєл В. В., Радько В. І., Голобородько Н. С. Про механізм впливу газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар'єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In2О3 + 5% SnO2). Український фізичний журнал. 2016. Т. 61, № 1. С. 40-45. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000727701 |  Ukrainian Journal of Physics / Issue (2016, 61 (1))
Ilchenko V. V., Kostiukevych O. M., Lendiel V. V., Radko V. I., Holoborodko N. S.
Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) oxide films
Cite:
Ilchenko, V. V., Kostiukevych, O. M., Lendiel, V. V., Radko, V. I., Holoborodko, N. S. (2016). Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) oxide films. Ukrainian Journal of Physics, 61 (1), 40-45. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000727701 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF