New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures / Borblik V. L., Shwarts Yu. M., Shwarts M. M., Aleinikov A. B. (2017)
UkrainianEnglish

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна