Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Мирсагатов Ш. А., Музафарова С. А., Ачилов А. С., Мовлонов А. А. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000904484
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2012, Т. 10, № 1)

Мирсагатов Ш. А., Музафарова С. А., Ачилов А. С., Мовлонов А. А.
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо

Бібліографічний опис:
Мирсагатов Ш. А., Музафарова С. А., Ачилов А. С., Мовлонов А. А. Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо. Фізична інженерія поверхні. 2012. Т. 10, № 1. С. 78-84. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000904484

English  Physical surface engineering   /     Issue (2012, 10 (1))

Mirsagatov Sh. A., Muzafarova S. A., Achilov A. S., Movlonov A. A.
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo

Cite:
Mirsagatov, Sh. A., Muzafarova, S. A., Achilov, A. S., Movlonov, A. A. (2012). Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo. Physical surface engineering, 10 (1), 78-84. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000904484 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна