Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации / Ходаковский Н. И. (2019)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000986328
  Кибернетика и системный анализ      А - 2019  /     Випуск (2019, Т. 55, № 3)

Ходаковский Н. И.
Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации

Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов - ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе изменения порога чувствительности нейрона в зависимости от величины тока. Предложенные устройства могут быть использованы как запоминающие модули наноразмерных сенсоров.

Бібліографічний опис:
Ходаковский Н. И.  Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации. Кибернетика и системный анализ. 2019. Т. 55, № 3. С. 173-181. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000986328

English  Cybernetics and Systems Analysis   /     Issue (2019, 55 (3))

Khodakovskij N. I.
The method of constructing memory devices with ultrahigh density of information recording

Cite:
Khodakovskij, N. I. (2019). The method of constructing memory devices with ultrahigh density of information recording. Cybernetics and Systems Analysis, 55 (3), 173-181. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000986328 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна