Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3–20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / Хайдаров З., Юлдашев Х. Т., Хайдаров Б. З., Урмонов С. (2015)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059739
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2015, Т. 13, № 2)

Хайдаров З., Юлдашев Х. Т., Хайдаров Б. З., Урмонов С.
Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3–20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом

Бібліографічний опис:
Хайдаров З., Юлдашев Х. Т., Хайдаров Б. З., Урмонов С. Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3–20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом. Фізична інженерія поверхні. 2015. Т. 13, № 2. С. 136-140. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059739

English  Physical surface engineering   /     Issue (2015, 13 (2))

Khajdarov Z., Juldashev Kh. T., Khajdarov B. Z., Urmonov S.
Photoelectric phenomena in the hyperfine (3-20 μm) gap gas discharge with a semiconductor electrode

Cite:
Khajdarov, Z., Juldashev, Kh. T., Khajdarov, B. Z., Urmonov, S. (2015). Photoelectric phenomena in the hyperfine (3-20 μm) gap gas discharge with a semiconductor electrode. Physical surface engineering, 13 (2), 136-140. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059739 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна