Фізична інженерія поверхні. 2015, 13 (2) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Фізична інженерія поверхні
2015. Вип. 2 |
- Титул.
- Зміст.
- Сапаев И. Б., Мирсагатов Ш. А., Сапаев Б., Кабулов Р. Р. Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS. - C. 129-135.
- Хайдаров З., Юлдашев Х. Т., Хайдаров Б. З., Урмонов С. Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3–20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом. - C. 136-140.
- Юлдашев Х. Т., Хайдаров Б. З., Касымов Ш. С. Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа. - C. 141-147.
- Васильев В. В., Лучанинов А. А., Решетняк Е. Н., Стрельницкий В. Е., Толмачева Г. Н., Прибытков Г. А., Гурских А. В., Криницын М. Г. Применение порошковых катодов для осаждения Ti-Si-N покрытий из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы. - C. 148-163.
- Сычикова Я. А. Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5. - C. 164-168.
- Kapustianyk V., Turko B., Rudyk Y., Tsybulskyi V., Rudyk V., Vaskiv A. Room-temperature ultraviolet laser emission from ZnO hexagonal microprisms and nanowires. - C. 169-174.
- Шкоропатенко А. В., Кудин А. М., Андрющенко Л. А., Волошина Л. И., Зосим Д. И., Волошин А. В. Причины нестабильности спектрометрических характеристик кристаллов CsI:Ti с матированной поверхностью. - C. 175-183.
- Малеев М. В., Зубарев Е. Н., Пуха В. Е., Дроздов А. Н., Вус А. С., Пеньков А. В. Особенности взаимодействия ускоренных инов С60 с поверхностью ITO мишени. - C. 184-195.
- Боледзюк В. Б., Ковалюк З. Д., Фешак Т. М., Товарницький М. В. Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi2Te3, інтеркальованих C3H8O3. - C. 196-201.
- Соболь О. В., Андреев А. А., Шепель С. В., Дмитрик В. В., Погребной Н. А., Ищенко Г. И., Князев С. А., Пинчук Н. В., Мейлехов А. А., Столбовой В. А., Сологуб М. О., Кривобок Н. А. Использование структурного подхода при оценке эффективности газового и ионного азотирования сталей. - C. 202-208.
- Гордиенко Ю. Е., Пятайкина М. И., Полищук А. В. СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники. - C. 209-217.
- Юлдашев Х. Т., Касымов Ш. С. Исследование характеристики преобразователя изображений в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. - C. 218-224.
- Дядюра К. О., Юнак А. С., Погребняк А. Д., Охріменко В. О. Механізм зношення різальних інструментів на основі cBN при точінні зносостійких високохромистих чавунів. - C. 225-234.
- Ковалюк З. Д., Мінтянський І. В., Савицький П. І. Електрохімічна імпедансна спектроскопія джерел струму Li/Cu4Bi6S11. - C. 235-242.
- Агеев Л. А., Белошенко К. С., Резникова В. М. Периодическая структура в фоточувствительной композитной пленке при возбуждении предельной ТЕ0 моды подложки. - C. 243-249.
- Клепиков В. Ф., Прохоренко Е. М., Литвиненко В. В., Брюховецкий В. В., Шатов В. В., Шульгин Н. А., Морозов А. И. Структурные особенности механизмов износа и разрушения материалов шаров барабанных мельниц. - C. 250-258.
- Миненков А. А., Крышталь А. П. Влияние характерного размера на твердофазную растворимость в плёночной системе Ag-Ge. - C. 259-263.
- Зыков А. В., Дудин С. В., Яковин С. Д. Стационарные режимы магнетронного разряда низкого давления. - C. 264-275.
- К 40-летию начала исследований в области плазменных технологий в микроэлектронике на физико-техническом факультете Харьковского университета. - C. 276-281.
- Фаренко Володимир Іванович (до 70-літнього ювілею). - C. 282-283.
- Правила оформлення рукописів. - C. 284-286.
- Тематичні напрямки. - C. 287.
- Вихідні дані.
|
|
