Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOх–SіOy)n структурах з поруватими ізолюючими шарами / Михайловська К. В., Данько В. А., Гудименко О. Й., Кладько В. П., Індутний І. З., Шепелявий П. Є., Сопінський М. В. (2018)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074345
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Б - 2020 /  Випуск (2018, Вып. 53)
Михайловська К. В., Данько В. А., Гудименко О. Й., Кладько В. П., Індутний І. З., Шепелявий П. Є., Сопінський М. В.
Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOх–SіOy)n структурах з поруватими ізолюючими шарами
Бібліографічний опис:
Михайловська К. В., Данько В. А., Гудименко О. Й., Кладько В. П., Індутний І. З., Шепелявий П. Є., Сопінський М. В. Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOх–SіOy)n структурах з поруватими ізолюючими шарами. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2018. Вып. 53. С. 169-180. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074345 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2018, 53)
Mykhailovska K. V., Danko V. A., Hudymenko O. Y., Kladko V. P., Indutnyi I. Z., Shepeliavyi P. Ye., Sopinskyi M. V.
Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
Cite:
Mykhailovska, K. V., Danko, V. A., Hudymenko, O. Y., Kladko, V. P., Indutnyi, I. Z., Shepeliavyi, P. Ye., Sopinskyi, M. V. (2018). Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 53, 169-180. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074345 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF