Монополярная фотопроводимость инверсного слоя и "медленные" поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света / Карась Н. И., Онищенко В. Ф. (2018)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074355
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2018, Вып. 53)

Карась Н. И., Онищенко В. Ф.
Монополярная фотопроводимость инверсного слоя и "медленные" поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света

Бібліографічний опис:
Карась Н. И., Онищенко В. Ф. Монополярная фотопроводимость инверсного слоя и "медленные" поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2018. Вып. 53. С. 268-272. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074355

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2018, 53)

Karas N. I., Onishchenko V. F.
Monopolar photoconductivity of the inversion layer and "slow"-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting

Cite:
Karas, N. I., Onishchenko, V. F. (2018). Monopolar photoconductivity of the inversion layer and "slow"-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 53, 268-272. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074355 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна