"Медленные" поверхностные уровни и релаксация фотопроводимости в структурах макропористого кремния в фиолетовой области оптического спектра / Карась Н. И., Онищенко В. Ф., Калустова Д. А., Корнага В. И. (2017)
Ukrainian

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2017, 52)

Karas N. I., Onishchenko V. F., Kalustova D. A., Kornaga V. I.
"Slow" surface levels and relaxation of photoconductivity in the structures of macroporous silicon in the violet range of the optical spectrum


Cite:
Karas, N. I., Onishchenko, V. F., Kalustova, D. A., Kornaga, V. I. (2017). "Slow" surface levels and relaxation of photoconductivity in the structures of macroporous silicon in the violet range of the optical spectrum. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 52, 135-139 . http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138338 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна