Дослідження процесів формування фотодіодів в InSb при іонній імплантації берилію / Голтвянський Ю. В., Гудименко О. Й., Дубіковський О. В., Любченко О. І., Оберемок О. С., Сабов Т. М., Сапон С. В., Чуніхіна К. І. (2017)
Ukrainian

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2017, 52)

Holtvianskyi Yu. V., Hudymenko O. Y., Dubikovskyi O. V., Liubchenko O. I., Oberemok O. S., Sabov T. M., Sapon S. V., Chunikhina K. I.
Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation


Cite:
Holtvianskyi, Yu. V., Hudymenko, O. Y., Dubikovskyi, O. V., Liubchenko, O. I., Oberemok, O. S., Sabov, T. M., Sapon, S. V., Chunikhina, K. I. (2017). Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 52, 140-149. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138339 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна