Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / Кучинский П. В., Комаров Ф. Ф., Мильчанин О. В., Ковалева Т. Б., Солодуха В. А., Турцевич А. С., Соловьев Я. А., Гапоненко С. В. (2014)
Ukrainian

English  Electrical Contacts and Electrodes. Series : Composite, Layered and Gradient Materials and Coatings   /     Issue (2014, 2014)

Kuchinskij P. V., Komarov F. F., Milchanin O. V., Kovaleva T. B., Solodukha V. A., Turtsevich A. S., Solovev Ja. A., Gaponenko S. V.
Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes


Cite:
Kuchinskij, P. V., Komarov, F. F., Milchanin, O. V., Kovaleva, T. B., Solodukha, V. A., Turtsevich, A. S., Solovev, Ja. A., Gaponenko, S. V. (2014). Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes. Electrical Contacts and Electrodes. Series : Composite, Layered and Gradient Materials and Coatings, 2014, 211-219. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001168082 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна