Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / Savelyev A. P., Arapov Yu. G., Gudina S. V., Neverov V. N., Podgornykh S. M., Shelushinina N. G., Yakunin M. V. (2021)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001221068
  Фізика низьких температур      А - 2019  /     Випуск (2021, Т. 47, Вип. 1)

Savelyev A. P., Arapov Yu. G., Gudina S. V., Neverov V. N., Podgornykh S. M., Shelushinina N. G., Yakunin M. V.
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures

Cite:
Savelyev, A. P., Arapov, Yu. G., Gudina, S. V., Neverov, V. N., Podgornykh, S. M., Shelushinina, N. G., Yakunin, M. V. (2021). Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures. Low Temperature Physics, 47 (1), 18-23. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001221068

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна