Фізична інженерія поверхні. 2006, 4 (3-4) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Фізична інженерія поверхні
2006. Вип. 3-4 |
- Титул.
- Зміст.
- Шулаев В. М., Андреев А. А., Руденко В. П. Модернизация вакуумно-дуговых установок для синтеза покрытий и азотирования методом ионной имплантации и осаждения. - C. 136-142.
- Лисовский В. А. Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления. - C. 143-168.
- Дудин С. В. Автоматизированная система оперативного контроля процесса плазмохимического травления в реакторе на базе ВЧ индукционного разряда. - C. 169-173.
- Glazunov G. P., Andreev A. A., Baron D. I., Bondarenko M. N., Causey R. A., Hassanein A. M., Konotopskiy A. L., Neklyudov I. M., Tarasov I. K., Volkov E. D. Influence of porosity on erosion behavior and hydrogen permeability of tungsten films. - C. 174-178.
- Андреев А. А., Шулаев В. М., Горбань В. Ф., Столбовой В. А. Осаждение сверхтвердых вакуумно-дуговых TiN покрытий. - C. 179-183.
- Лисовский В. А., Харченко Н. Д. Условия появления нормального режима разряда постоянного тока низкого давления. - C. 184-186.
- Турбін П. В. Моделювання динаміки хвильового спектру пучково-плазмової взаємодії. - C. 187-190.
- Андреев А. А., Шулаев В. М., Саблев Л. П. Азотирование сталей в газовом дуговом разряде низкого давления. - C. 191-197.
- Турбин П. В., Береснев В. М., Швець О. М. Нанокристаллические покрытия, полученные вакуумно-дуговым методом с использованием ВЧ напряжения. - C. 198-202.
- Правила оформления рукописей. - C. 203-205.
|
|
