Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2010 (45) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка
2010. Вип. 45 |
- Титул, содержание.
- Мачулін В.Ф. Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років. - C. 5-10.
- Свечников Г. С., Морозовская А. Н. Наноинтеграция и самосборка в нано-электронике (обзор). - C. 11-26.
- Толмачев И. Д., Стронский А. В. Оптические нелинейности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (обзор). - C. 27-48.
- Хмиль Д. Н., Камуз А. М., Олексенко П. Ф., Алексенко Н. Г., Камуз В. Г. Экспресс-метод определения наименьшей разницы цветов испытуемого люмино-фора и белого света. - C. 49-53.
- Литовченко Н. М., Насека Ю. Н., Прохорович А. В., Рашковецкий Л. В., Стрильчук О. Н., Сизов Ф. Ф., Войциховская О. О., Данильченко Б. А. Анализ фотолюминесценции кристаллов р-Сd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами. - C. 54-60.
- Венгер Є. Ф., Євтушенко А. І., Мельничук Л. Ю., Мельничук О. В. Поверхневі поляритони в монокристалах 6Н-SiC, розміщених у сильному однорідному магнітному полі. - C. 61-68.
- Баранський П. І., Гайдар Г. П. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук. - C. 69-75.
- Власенко Н. А., Сопинский Н. В., Гуле Е. Г., Велигура Л. И., Братусь В. Я., Мельник Р. С., Денисова З. Л., Мухльо М. А. Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния. - C. 76-82.
- Данько В. А., Індутний І. З., Михайловська К. В., Шепелявий П. Є. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF. - C. 83-89.
- Павлюченко А. С., Кукла А. Л., Голтвянский Ю. В., Архипова В. М., Дзядевич С. В., Солдаткин А. П. Исследование стабильности характеристик рН-чув-ствительных полевых транзисторов. - C. 90-99.
- Венгер Е. Ф., Готовы И., Шеховцов Л. В. Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки. - C. 100-108.
- Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мазарчук І. О., Кролевець М. М., Лук’яненко В. І., Луцишин І. Г. Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів. - C. 109-116.
- Павлович І. І., Копил О. І., Томашик В. М. Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками. - C. 117-121.
- Вахула О. А., Хоруженко В. Ю., Кукла О. Л., Самойлова І. О., Шульженко О. В., Манорик П. А. Оптоелектронний колориметричний сенсор аміаку. - C. 122-129.
- Костюкевич Е. В., Костюкевич С. А. Сенсор поверхностного плазмонного резонанса для определения уровня барбитуратов в жидкой пробе. - C. 130-136.
- Христосенко Р. В., Костюкевич Е. В., Зыньо С. А., Павлюченко А. С., Самойлов А. В., Ушенин Ю. В., Костюкевич С.А., Кальченко В. И. Газовый сенсор на поверхностных плазмонах для распознавания спиртов с использованием чувствительных пленок каликсаренов. - C. 137-144.
|
|
