Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014 (1) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Технология и конструирование в электронной аппаратуре
2014. Вип. 1 |
- Титул, содержание.
- Ефимович А. П., Крыжановский В. Г. Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F. - C. 3-10.
- Часнык В. И., Фесенко И. П. Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена. - C. 11-14.
- Пономарев В. А., Пономарева О. В. Инвариантность текущего энергетического Фурье-спектра действительных дискретных сигналов на конечных интервалах. - C. 15-22.
- Prokopenko I. G., Vovk V. Iu., Omelchuk I. P., Chirka Yu. D., Prokopenko K. I. Local trajectory parameters estimation and detection of moving targets in rayleigh noise. - C. 23-35.
- Голишников А. А., Путря М. Г. Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов. - C. 36-41.
- Воробьев А. В., Жора В. Д., Баклаев К. К., Грунянская В. П. Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе. - C. 42-46.
- Ковалюк Т. Т., Майструк Э. В., Марьянчук П. Д. Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe. - C. 47-51.
- Самынина М. Г., Шигимага В. А. Исследование метрологических характеристик системы измерения малых изменений температуры. - C. 52-56.
- Дашковский А. А., Михеева И. Л. Всеукраинскому НИИ аналитического приборостроения "Украналит" — 45 лет. - C. 57-62.
|
|
