Фізика низьких температур. 2013, 39 (1) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Фізика низьких температур
2013. Вип. 1 |
- Титул.
- Содержание.
- Вступление. - C. 3-4.
- Гантмахер В. Ф. Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью. - C. 5-10.
- Девятов Э. В. Электронные интерферометры в режиме квантового эффекта Холла. - C. 11-25.
- Демиховский В. Я., Тележников А. В., Фролова Е. В., Кравец Н. А. Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов. - C. 26-36.
- Kagalovsky V. Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram. - C. 37-39.
- Rozhansky I. V., Averkiev N. S., Lähderanta E. Configuration interaction in delta-doped heterostructures. - C. 40-47.
- Вальков В. В., Аксенов С. В., Уланов Е. А. Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь. - C. 48-52.
- Ляпилин И. И. О возбуждении спинового тока звуковой волной. - C. 53-57.
- Арапов Ю. Г., Гудина С. В., Неверов В. Н., Подгорных С. М., Якунин М. В. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами. - C. 58-65.
- Арапов Ю. Г., Гудина С. В., Неверов В. Н., Новокшонов С. Г., Клепикова А. С., Харус Г. И., Шелушинина Н. Г., Якунин М. В. Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла. - C. 66-75.
- Кульбачинский В. А., Лунин Р. А., Качан И. П., Великодный Ю. А., Тарасов В. П., Булычев Б. М. Сверхпроводящие свойства новых гетерофуллеридов. - C. 76-85.
- Лашкарев Г. В., Радченко М. В., Бугаева М. Э., Кнофф В., Стори Т., Стельмах Я. А., Крушинская Л. А., Дмитриев А. И., Лазоренко В. И., Сичковский В. И. Ферромагнитные нанокомпозиты как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой. - C. 86-97.
- Скипетров Е. П., Голованов А. Н., Слынько Е. И., Слынько В. Е. Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием. - C. 98-108.
- Лончаков А. Т., Марченков В. В., Окулов В. И., Окулова К. А. Псевдощелевое состояние и сильное рассеяние носителей тока на локальных спиновых моментах как механизмы появления полупроводниковых свойств почти стехиометрических сплавов железо-ванадий-алюминий. - C. 109-115.
- Соколов В. И., Груздев Н. Б., Пустоваров В. А., Чурманов В. Н. Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn1–xMexO (Me — Mn, Ni, Co). - C. 116-120.
|
|
