Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа / Юлдашев Х. Т., Хайдаров Б. З., Касымов Ш. С. (2015)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059740
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2015, Т. 13, № 2)

Юлдашев Х. Т., Хайдаров Б. З., Касымов Ш. С.
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа

Бібліографічний опис:
Юлдашев Х. Т., Хайдаров Б. З., Касымов Ш. С. Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа. Фізична інженерія поверхні. 2015. Т. 13, № 2. С. 141-147. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059740

English  Physical surface engineering   /     Issue (2015, 13 (2))

Juldashev Kh. T., Khajdarov B. Z., Kasymov Sh. S.
Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type

Cite:
Juldashev, Kh. T., Khajdarov, B. Z., Kasymov, Sh. S. (2015). Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type. Physical surface engineering, 13 (2), 141-147. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059740 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна