Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2006 (2) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Технология и конструирование в электронной аппаратуре
2006. Вип. 2 |
- Титул, содержание.
- Семенко А. И., Юрчук А. П. Использование сети электропитания для построения информационных систем. - C. 3-6.
- Воторопин С. Д. Конструктивно-технологические особенности автодинных ГИС КВЧ на диодах Ганна. - C. 7-13.
- Демьянчук Б. А. Статистические характеристики интенсивности мешающих сигналов в безэховой камере туннельного типа. - C. 14-18.
- Воробец А. И., Воробец Г. И., Мельничук С. В. Оптимизация аппаратно-программного обеспечения для автоматизации спектрофотометра СФ-20. - C. 19-22.
- Рыбка А. В., Захарченко А. А., Давыдов Л. Н., Шляхов И. Н., Блинкин А. А., Кутний К. В. Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения. - C. 23-26.
- Круковский С. И. Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники. - C. 27-31.
- Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Бузруков У. М., Мирджалилова М. А., Болтаева Ш. Ш. Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала. - C. 32-35.
- Бабичев Г. Г., Зинченко Э. А., Козловский С. И., Недоступ В. В., Романов В. А., Шаран Н. Н. Минимизация погрешности интегрального преобразователя давления с разделительной мембраной. - C. 36-38.
- Ащеулов А. А., Гуцул И. В. Анизотропные термоэлектрические координатно-чувствительные линейки. - C. 39-40.
- Катеринчук В. Н., Ковалюк М. З. Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS2-хSeх-InSe (0≤х≤1). - C. 41-42.
- Кондрашенков И. С. Моделирование тепловых режимов активных компонентов электронных модулей. - C. 43-44.
- Ануфриев Д. Л., Рубцевич И. И., Керенцев А. Ф. Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов. - C. 45-48.
- Истомин А. С., Семенов Э. И. Измерение толщины покрытий в процессе их нанесения с помощью емкостного датчика. - C. 49-51.
- Полозов Б. П., Федорович О. А., Голотюк В. Н., Мариненко А. А., Лукомский Д. В. Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей. - C. 52-55.
- Новиков В. В., Дмитриева Н. О., Новиков А. В. Определение электропроводности нанокомпозитов с хаотической структурой. - C. 56-60.
- Винник И. Б., Гадзаман И. В., Клым Г. И., Мруз О. Я., Шпотюк О. И. Получение алюмомагниевой керамики с улучшеными влагочувствительными характеристиками. - C. 60-62.
- Балицкий А. А. Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In4Se3. - C. 63-64.
|
|
