Фізична інженерія поверхні. 2011, 9 (1) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Фізична інженерія поверхні
2011. Вип. 1 |
- Титул.
- Зміст.
- Гончаров А. А. Характерные особенности формирования структуры, состава и свойств пленок диборидов переходных металлов PVD-методами. - C. 4-14.
- Андреев А. А., Соболь О. В., Горбань В. Ф., Столбовой В. А., Сердюк И. В. Получение вакуумно-дуговых высокотвердых Mo-N покрытий. - C. 15-20.
- Pogrebnyak A. D., Jameel N. Y., Mommed G. A-K. M. Affects deposition time and substrate temperature on optical properties of ZnO thin film. - C. 21-24.
- Долгов А. С., Лорент А. Л. Распределение атомов на поверхности при конденсации моноатомного слоя. - C. 25-31.
- Швец О. М., Береснев В. М., Турбин П. В., Грудницкий В. В., Немченко У. С., Колесников Д. А. Применение импульсного ВЧ генератора с ударным контуром в методе вакуумно-дугового осаждения при синтезе наноструктурированных покрытий. - C. 32-39.
- Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника. - C. 40-43.
- Jabua Z. U., Gigineishvili A. V., Tabatadze I. G., Kupreishvili I. L. Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd2S3 films. - C. 44-47.
- Балабай Р. М., Чернікова О. М. Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-ктадецену: розрахунки із перших принципів. - C. 48-54.
- Алиев Р., Олимов Л., Мухтаров Э., Алиева Ж. Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности. - C. 55-59.
- Сичікова Я. О. Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління. - C. 60-62.
- Погребняк А. Д., Махмуд А. М. Кавитационная стойкость покрытий TiN. - C. 63-67.
- Шамирзаев C. Х., Гулямов Г. Г., Дадамирзаев М. Г., Шарибаев Н. Ю., Гулямов А. Г. Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi2Te3 и Sb2Te3. - C. 68-71.
- Стыров В. В., Симченко С. В. Поперечная хемомагнитная Э.Д.С. в фосфиде индия при взаимодействии с атомарным водородом. - C. 72-76.
- Точилін С. Д. Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки. - C. 77-81.
- Чернышов Н. Н., Слипченко Н. И., Панченко А. Ю., Лю Чан, Щербак Е. Л., Фурсова Е. В. Анализ влияния магнитного поля на физические процессы в фотоэлектрических преобразователях на основе компьютерной модели. - C. 82-86.
- Литовченко С. В., Петриченко А. П., Береснев В. М., Киперь И. Г., Витковский Е. А. Поведение композитов молибден-силицидное покрытие при механических и термических нагрузках. - C. 87-93.
- Правила оформлення рукописів. - C. 94-96.
- Тематичні напрямки. - C. 97.
- Вихідні дані.
|
|
