Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon / Zainabidinov S., Mamatkarimov O. O., Khimmatkulov O., Tursunov I. G. (2017)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000812102
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2017, Т. 62, № 11)

Zainabidinov S., Mamatkarimov O. O., Khimmatkulov O., Tursunov I. G.
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon

Cite:
Zainabidinov, S., Mamatkarimov, O. O., Khimmatkulov, O., Tursunov, I. G. (2017). Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon. Ukrainian Journal of Physics, 62 (11), 951-954. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000812102

Оцінювання розподілу водню біля тріщиноподібного дефекту / Стащук М. Г. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000814119
  Фізико-хімічна механіка матеріалів      А - 2019  /     Випуск (2016, Т. 52, № 6)

Стащук М. Г.
Оцінювання розподілу водню біля тріщиноподібного дефекту

Бібліографічний опис:
Стащук М. Г.  Оцінювання розподілу водню біля тріщиноподібного дефекту. Фізико-хімічна механіка матеріалів. 2016. Т. 52, № 6. С. 56-62. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000814119

English  Materials Science (Physicochemical mechanics of materials)   /     Issue (2016, 52 (6))

Stashchuk M. H.
Evaluation of redistribution of hydrogen near a crack-like defect

Cite:
Stashchuk, M. H. (2016). Evaluation of redistribution of hydrogen near a crack-like defect. Materials Science (Physicochemical mechanics of materials), 52 (6), 56-62. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000814119 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна