Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2011 (46) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка
2011. Вип. 46 |
- Титул, содержание.
- К 85-летию академика нан украины С.В. Свечникова. - C. 5-6.
- Коваленко А. В., Корбутяк Д. В., Будзуляк С. И. Лазерные квантоворазмерные структуры на основе соединений А2В6 (обзор). - C. 7-27.
- Власенко Н. А., Олексенко П. Ф., Мухльо М. А., Литвин П. М., Велигура Л. И., Денисова З. Л. Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре. - C. 28-34.
- Ушенин Ю. В., Христосенко Р. В., Самойлов А. В., Громовой Ю. С., Каганович Э. Б., Манойлов Э. Г., Кравченко С. А., Снопок Б. А. Планарные волноводные структуры на основе нанопористых пленок оксида алюминия в условиях поверхностного плазмонного резонанса. - C. 35-42.
- Венгер Е. Ф., Матвеева Л. А., Нелюба П. Л. Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами. - C. 43-48.
- Індутний І. З., Минько В. І., Шепелявий П. Є., Сопінський М. В., Ткач В. М., Данько В. А. Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом. - C. 49-56.
- Асніс Ю. А., Баранський П. І., Бабич В. М., Піскун Н. В., Статкевич І. І. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. - C. 57-61.
- Паюк О. П., Ліщинський І. М., Стронський О. В., Влчек M., Губанова А. О., Криськов Ц. А., Олексенко П. Ф. Зміна властивостей стекол As2S3 при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія. - C. 62-67.
- Павлович И. И., Томашик В. Н., Томашик З. Ф., Стратийчук И. Б., Копыл А. И. Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями. - C. 68-73.
- Круковський С. І., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук Ю. С. Властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів. - C. 74-80.
- Хмиль Д. Н., Камуз А. М., Олексенко П. Ф., Камуз В. Г., Алексенко Н. Г., Камуз О. А. Влияние трансформации индикатрисы рассеивания света на измеряемое значение коэффициента поглощения пленки фотолюминофорной суспензии. - C. 81-87.
- Венгер Е. Ф., Готовы И., Шеховцов Л. В. Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки. - C. 88-94.
- Христосенко Р. В., Нестерова Н. В., Костюкевич Е. В., Загородняя С. Д., Баранова Г. В., Головань А. В., Ушенин Ю. В., Самойлов А. В., Костюкевич С. А. Иммуносенсор на основе поверхностного плазмонного резонанса для определения антител против вируса Эпштейна—Барр. - C. 95-102.
- Данько В. А., Індутний І. З., Коломис О. Ф., Стрельчук В. В., Шепелявий П. Є. Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As2S3/SiOx. - C. 103-110.
- Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Лук’яненко В. І., Луцишин І. Г. Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах. - C. 111-118.
- Хмиль Д. Н., Камуз А. М., Камуз В. Г., Алексенко Н. Г., Камуз О. А. Модель композитной пленки фотолюминофорной суспензии и определение коэффициента поглощения среднего микрокристаллика фотолюминофора. - C. 119-125.
- Костюкевич Е. В., Костюкевич С. А. Реакционный отжиг как способ пассивации и стабилизации поверхностей биосенсоров. - C. 126-133.
- Стратійчук І. Б. Хіміко-механічне полірування монокристалів CdTe бромвиділяючими розчинами H2O2—HBr—етиленгліколь. - C. 134-139.
- До 100-річчя з дня народження лауреата державної премії україни в галузі науки і техніки професора І.Б. Мізецької. - C. 140-141.
|
|
