Фізична інженерія поверхні. 2012, 10 (4) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Фізична інженерія поверхні
2012. Вип. 4 |
- Титул.
- Зміст.
- Грицына В. И., Дудник С. Ф., Кошевой К. И., Опалев О. А., Стрельницкий В. Е. Влияние состава газовой фазы и тока тлеющего разряда на кинетику роста легированных азотом наноструктурных алмазных покритий. - C. 328-335.
- Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Якубов Э. Н., Юлдашев Ш. Ш., Тураев А. А. Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами. - C. 336-341.
- Бажин А. И., Троцан А. Н., Чертопалов С. В., Стипаненко А. А., Ступак В. А. Влияние режима магнетронного распыления и состава реакционного газа на структуру и свойства пленок ITO. - C. 342-349.
- Бахтінов А. П., Водоп’янов В. М., Ковалюк З. Д., Кудринський З. Р., Нетяга В. В. Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO3. - C. 350-359.
- Бушкова В. С., Копаєв О. В. Температурна імпеданс-спектроскопія композитів системи (1-x)MgFe2O4 – xBaTiO3. - C. 360-365.
- Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю., Эркабоев У. И. Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны. - C. 366-370.
- Дадамирзаев М. Г., Гулямов А. Г. Фазовые портреты деформационных эффектов в полупроводниках в импульсном режиме. - C. 371-374.
- Долгов А. С., Валуйская А. В. Неоднородные распределения в моноатомном слое в условиях осаждения извне. - C. 375-382.
- Калугин В. Д., Опалева Н. С., Сидоренко О. В., Кустов М. В., Бородкина А. О. Влияние состава раствора и микродисперсной металлической фазы в объёме реактора на эффект гидродинамического ограничения скорости химического осаждения серебра. - C. 383-391.
- Рахматов А. З., Каримов А. В. Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах. - C. 392-396.
- Коломієць В. М., Лобода В. Б., Шкурдода Ю. О., Дехтярук Л. В. Структурно-фазовий стан та дифузійні процеси в плівкових системах на основі Co, Cu та Cr. - C. 397-402.
- Головина И. С., Брыкса В. П., Стрельчук В. В., Родионов В. Е., Литвиненко В. В. Особенности фазовых переходов в наноразмерных порошках KTa0.7Nb0.3O3. - C. 403-410.
- Азаренков Н. А., Литовченко С. В., Береснев В. М., Чишкала В. А., Гравнова Л. В., Огиенко С. И. Особенности разрушения силицидных покрытий при динамических механических загрузках. - C. 411-417.
- Маматкаримов О. О., Хамидов Р. Х., Жабборов Р. Г., Туйчиев У. А., Кучкаров Б. Х. Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления. - C. 418-422.
- Сухов В. Н., Дукаров С. В., Чурилов И. Г., Петрушенко С. И., Павлов А. В. Плавление поликристаллических плёнок свинца и висмута на аморфных углеродных подложках. - C. 423-429.
- Точилін С. Д. Часовий розвиток комбінаційного розсіювання світла при фазовому b-a-переході сірки. - C. 430-433.
- Удовицкий В. Г., Кропотов А. Ю., Фареник В. И. Развитие плазменных методов синтеза фуллеренов. - C. 434-447.
- Ковалюк З. Д., Боледзюк В. Б., Шевчик В. В., Дубик О. М., Камінський В. М. Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію. - C. 448-452.
- Правила оформления рукописей. - C. 453-455.
- Тематичні напрямки. - C. 456.
- Вихідні дані.
|
|
