Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2018 (53) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка
2018. Вип. 53 |
- Титул.
- Содержание.
- Бєляєв О. Є. Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України – 58 років у складі НАН України. - C. 5-12.
- Костильов В. П., Саченко А. В. Напівпровідникова фотоенергетика: сучасний стан і актуальні напрями досліджень. - C. 13-37.
- Чегель В. І., Лопатинський А. М. Молекулярна плазмоніка – новий напрямок для досліджень у матеріалознавстві та сенсориці. Застосування та теоретичне підґрунття (Огляд). - C. 38-59.
- Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ткачук А. І., Троценко С. П. InAs фотодіоди (Огляд. Частина IV). - C. 60-82.
- Завьялова Л. В., Свечников Г. С., Рощина Н. Н., Снопок Б. А. Получение и исследование полупроводниковых плёнок АІ-VІІІВVІ и функциональных структур на их основе; Особенности и возможности СVD метода с применением дитиокарбаматов. - C. 83-123.
- Ревуцька Л. О., Денисова З. Л., Стронський О. В. Нанесення плівок халькогенідних стекол з розчину: виготовлення, властивості, застосування (Огляд). - C. 124-139.
- Мороженко В. О. Пропускання, відбиття та теплове випромінювання магнітооптичних резонаторних структур в інфрачервоному діапазоні спектра: Дослідження та застосування (Огляд). - C. 140-160.
- Кретуліс В. С., Мінакова І. Є., Олексенко П. Ф., Сорокін В. М. Оптоелектронний нефелометричний вимірювач метеопараметрів атмосферного середовища. - C. 161-168.
- Михайловська К. В., Данько В. А., Гудименко О. Й., Кладько В. П., Індутний І. З., Шепелявий П. Є., Сопінський М. В. Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOх–SіOy)n структурах з поруватими ізолюючими шарами. - C. 169-180.
- Велещук В. П., Власенко О. І., Власенко З. К., Хміль Д. М., Камуз О. М., Неділько С. Г., Щербацький В. П., Гнатюк Д. В., Борщ В. В., Киселюк М. П. Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нм. - C. 181-187.
- Маслов В. П., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Кравецький М. Ю., Качур Н. В., Венгер Є. Ф., Ворощенко А. Т., Луцишин І. Г., Матіюк І. М., Федоренко А. В. Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів. - C. 188-198.
- Оліх Я. М., Тимочко М. Д., Ілащук М. І. Чинники релаксації акустопровідності в CdTe. - C. 199-212.
- Дремлюженко К. С., Капуш О. А., Борук* С. Д., Корбутяк Д. В. Вплив стабілізатора на властивості високодисперсних систем кадмій телуриду отриманих електроіскровим методом. - C. 213-219.
- Костюкевич К. В., Ширшов Ю. М., Христосенко Р. В., Самойлов А. В., Ушенин Ю. В., Костюкевич С. А., Коптюх А. А. Особенности углового спектра поверхностного плазмон-поляритонного резонанса в геометрии Кретчмана при исследовании латексной водной суспензии. - C. 220-239.
- Мешалкин А., Паюк А. П., Ревуцкая Л. А., Акимова Е., Стронский А. В., Присакарь А., Тридух Г., Абашкин В., Корчевой А., Горонескуль В. Ю. Прямая записьповерхностного рельефа дифракционных решеток с использованием слоев селена как регистрирующих сред. - C. 240-247.
- Онищенко В. Ф., Карась М. І. Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії. - C. 248-253.
- Маланич Г. П., Томашик В. Н. Формирование полированной поверхности полупроводниковых пластин PbTe И Pb1–XSnXTe. - C. 254-260.
- Дорожинська Г. В., Дорожинський Г. В., Маслов В. П. Особливості рефрактометричних характеристик поверхневого плазмонного резонансу моторних олив при експлуатації. - C. 261-267.
- Карась Н. И., Онищенко В. Ф. Монополярная фотопроводимость инверсного слоя и "медленные” поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света. - C. 268-272.
- Матяш І. Є., Мінайлова І. А., Міщук О. М., Сердега Б. К. Компонентний аналіз спектрів фононного дихроїзму в одновісно деформованому кристалі кремнію. - C. 273-281.
- Інформація для авторів. Правила для авторів збірника наукових праць"Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка". - C. 282-283.
|
|
