Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2012 (47) АРХІВ (Всі випуски)
| Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка 2012. Вип. 47 |
- Титул, содержание.
- Хмиль Д. Н., Камуз А. М., Олексенко П. Ф., Камуз В. Г., Алексенко Н. Г., Камуз О. А. Люминофоры в белых светодиодах:преимущества и недостатки (обзор). - C. 5-23.
- Охрименко О. Б. Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор). - C. 24-39.
- Ушенин Ю. В., Христосенко Р. В., Самойлов А.В., Дорожинский Г. В., Каганович Э. Б., Манойлов Э. Г., Снопок Б. А. Оптоэлектронные сенсорные структуры на основе пленок пористого оксида алюминия, полученных импульсным лазерным осаждением. - C. 40-45.
- Баранський П. І., Гайдар Г. П. Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин. - C. 46-50.
- Данько В. А., Індутний І. З., Минько В. І., Шепелявий П. Є., Литвин О. С., Луканюк М. В. Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол. - C. 51-58.
- Венгер Є. Ф., Голотюк В. М., Горбач Т. Я., Панін А. І., Смертенко П. С. Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур si сонячних елементів. - C. 59-63.
- Круковський C. I., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук Ю. С. Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-inp/n-ingaasp/n-inp. - C. 64-69.
- Костюкевич Е. В., Христосенко Р. В., Ушенин Ю. В., Самойлов А. В., Костюкевич С. А. Иммуносенсор поверхностного плазмонного резонанса с повышенной чувствительностью и стабильностью для детектирования фибриногена, растворимого фибрина и d-димера в плазме крови человека. - C. 70-76.
- Венгер Е. Ф., Готовы И., Шеховцов Л. В. Деградация контакта шоттки при термическом отжиге. - C. 77-83.
- Маланич Г. П., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Павлович І. І. Електричні властивості структур In/p-pbte. - C. 84-90.
- Капуш О. А., Тріщук Л. І., Томашик В. М., Томашик З. Ф., Бабічук І. С., Борук С. Д. Вплив стабілізаторів на закономірності формування нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах. - C. 91-96.
- Михайловская Е. В., Данько В. А., Индутный И. З., Шепелявый П. Е. Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–siox-структур. - C. 97-103.
|
|